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测试电容器的电容会影响电容器两侧的电压。
图4：HBM的ESD测试电路
在测试电容器的电容（Cx）和在两侧发生的电压（Vx）之间建立以下关系。
当供电电压（Vd）和充电电容器（Cd）的电容恒定时，随着测试电容器的电容（Cx）变大，在测试电容器两侧发生的电压（Vx）变低。
因此，通常，随着测试电容器的电容变大，ESD电阻趋于变高。
实际上，由于耐压的边际性能随着设计的差异而变化，例如电介质的类型和厚度，该值并不总是与上述趋势相匹配。
多层陶瓷电容器的ESD抗性
多层陶瓷电容器（GCM系列）的ESD电阻参考数据如下所示。
图5：高介电类型电容器ESD测试结果（Vd = 25 kV是测量极限） |
